《MOS VLSL分析与设计》作者:高保嘉编

MOS VLSL分析与设计

  • 内容简介:

    本书对MOS数字超大规模集成电路和模拟集成电路设计的基本原理进行了系统的分析,给出了实用的、典型的数字集成电路和模拟集成电路的分析方法和设计方法,介绍了目前流行的设计技术——ASIC设计技术、CAD技术、可测性设计技术、可靠性设计技术。

  • 目录:

    第1章VLSI工艺技术
    1.1MOS工艺发展概况
    1.2NMOS工艺技术
    1.3CMOS工艺技术
    第2章MOS晶体管
    2.1MOS晶体管结构与工作原理
    2.2MOS器件电流电压方程
    2.3MOS晶体管器件参数
    2.4小尺寸MOS器件
    2.5MOS晶体管模型
    2.6等比例缩小原理
    2.7MOS晶体管限制
    第3章版图设计
    3.1设计规则
    3.2Stick图
    3.3版图设计
    3.4版图验证
    第4章数字电路设计基础
    4.1MOS反相器静态特性
    4.2MOS反相器瞬态分析
    4.3MOC旧反相器最佳设计
    4.4驱动大电容负载的最佳延迟时间
    4.5延迟模型
    4.6功耗估算
    第5章MOS数字电路
    5.1NMOS基本逻辑电路
    5.2CMOS基本逻辑电路
    5.3VLSICMOS逻辑组态
    5.4加法器和乘法器
    5.5规则逻辑结构
    5.6ROM
    5.7RAM
    5.8时钟电路
    5.9CPU电路
    第6章MOS模拟集成电路
    6.1MOS晶体管小信号模型及其等效电路
    6.2基本的MOS模拟电路
    6.3CMOS运算放大器
    6.4动态模拟电路
    6.5A/D转换器电路
    6.6开关电容滤波器
    第7章ASIC设计技术
    7.1VLSI与ASIC
    7.2门阵列设计技术
    7.3激光门阵列技术
    7.4标准单元设计技术
    7,5积木块设计技术
    7.6可编程逻辑器件(PLD)
    7.7片上系统集成(SOC)技术
    第8章ICCAD技术
    8.1VHDL和逻辑综合
    8.2逻辑模拟和电路模拟
    8.3版图设计与验证
    8.4ASICEDA技术
    8.5单元库建库
    第9章可测性设计(DFT)技术
    9.1可测性设计的基本概念
    9.2分块测试技术
    9.3扫描测试技术
    9.4自测试技术
    9.5边界扫描技术
    第10章可靠性设计技术
    10.1可靠性设计物理
    10,2抗静电设计
    10.3提高电路可靠性的设计规则和设计方法
    10.4抗辐照设计技术
    10.5电路可靠性设计技术
    10.6容错设计技术


数据来源网络,发布时间为(2022-11-12 14:46:09)

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