《数字CMOS VLSI分析与设计基础》作者:甘学温编

数字CMOS VLSI分析与设计基础

  • 内容简介:

    本书全面系统地讲解了数字CMOSVLSI的基本原理及其设计。全书共分11章。前两章分析了MOS晶体管的基本原理以及器件按比例缩小的性能。第三章介绍了CMOSVLSI的制造工艺。第四至七章和第九章论述了CMOSVLSI的结构特点、工作原理及设计方法,并给出了很多电路实例。第八章介绍了VLSI存储器的新结构和新电路。最后两章介绍了90年代迅速发展的SOICMOS和BICMOS新技术。本书既强调了基本知识,又反映了CMOSVLSI的最新进展。全书条理清楚,讲解透彻,内容先进,便于自学。

    本书可作为微电子专业或相关专业的高年级本科生和研究生的教材,同时也是从事微电子技术研究、电路设计、生产及应用的工程技术人员的重要参考书。另外,对于其他专业想了解大规模和超大规模集成电路的工程技术人员,也是一本很有价值的参考书。

  • 目录:

    第一章MOS晶体管工作原理
    1.1MOS晶体管的结构特点和基本原理
    1.2MOS晶体管的阈值电压分析
    1.3MOS晶体管的电流方程
    1.4MOS晶体管的瞬态特性
    第二章MOS器件按比例缩小
    2.1按比例缩小理论
    2.2高电场效应对按比例缩小器件性能的影响
    2.3不能按比例缩小的参数的影响
    2.4VLSI发展的实际限制
    第三章CMOSIC工艺流程及电路中的寄生效应
    3.1集成电路制作中的几个基本工艺步骤
    3.2CMOSIC工艺流程
    3.3CMOSIC中的寄生效应
    第四章CMOS反相器和CMOS传输门
    4.1CMOS反相器的直流特性
    4.2CMOS反相器的瞬态特性
    4.3CMOS反相器的功耗
    4.4CMOS反相器的设计
    4.5CMOS和NMOS电路性能比较
    4.6CMOS传输门
    第五章CMOS静态逻辑电路设计
    5.1静态CMOS逻辑门的构成特点
    5.2CMOS与非门的分析
    5.3CMOS或非门的分析
    5.4CMOS与非门和非门的设计
    5.5组合逻辑电路的设计
    5.6类NMOS电路
    5.7传输门逻辑电路
    5.8差分CMOS逻辑系列
    第六章动态和时序逻辑电路设计
    6.1动态逻辑电路的特点
    6.2预充-求值的动态CMOS电路
    6.3多米诺CMOS电路
    6.4时钟CMOS电路
    6.5无竞争动态CMOS电路
    6.6CMOS触发器
    6.7时序逻辑电路
    第七章输入、输出缓冲器
    7.1输入缓冲器
    7.2输入保护电路
    7.3输出缓冲器
    7.4脱片输出驱动级的设计
    7.5三态输出和双向缓冲器
    第八章MOS存储器
    8.1DRAM
    8.2SRAM
    8.3ROM和PLD
    第九章MOSIC的版图设计
    9.1VLSI的设计方法
    9.2门阵列和标准单元设计方法
    9.3版图设计
    第十章SOICMOS简介
    10.1SOICMOS工艺
    10.2薄膜SOIMOSFET的基本特性
    10.3短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应
    第十一章BiCMOS电路
    11.1MOS和双极型器件性能比较
    11.2BiCMOS工艺和器件结构
    11.3BiCMOS逻辑门的设计
    11.4BiCMOS和CMOS电路性能的比较
    11.5BiCMOS电路实例
    主要符号表
    主要参考文献
    附录


数据来源网络,发布时间为(2022-11-12 15:17:44)

0

站点公告

如需电子书试读,请工单留言!
没有账号?注册  忘记密码?