非晶ZnTiSnO薄膜的溶液燃烧法制备与TFT器件性能

作  者:冯丽莎;江庆军;叶志镇;吕建国

机构地区:浙江大学材料科学与工程学院,硅材料国家重点实验,浙江杭州310027

出  处:《材料科学与工程学报》 CSCD 2017年第35卷第2期 177-180页,共4页

基  金:国家自然科学基金资助项目(51372002)

摘  要:本文采用溶液燃烧法,在较低温度下成功制备出非晶ZnTiSnO(ZTTO)薄膜,用作沟道层制备薄膜晶体管(TFT)。研究了Ti掺入对薄膜的结构、光学性能、元素化学态以及对TFT器件电学性能影响。研究结果表明,所制得的ZTTO薄膜均为非晶结构,可见光透过率大于84%;适量Ti的掺入可作为载流子抑制剂有效降低薄膜中的氧空位缺陷浓度,从而提升TFT器件性能。当Zn/Ti摩尔百分比为30/1时,ZTTO TFT性能良好,开关比可达3.54×10^5。

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