基于ZnO忆阻器的神经突触仿生电子器件

潘若冰  胡丽娟  曹鸿涛  竺立强  李俊  李康  梁凌燕  张洪亮  高俊华  诸葛飞
【摘要】:本文采用ZnO忆阻器模拟了生物神经突触的记忆和学习功能。ZnO突触器件表现出典型的随时间指数衰减的突触后兴奋电流(EPSC),以及EPSC的双脉冲增强行为。在此基础上,实现了学习-遗忘-再学习的经验式学习行为,以及四种不同种类的电脉冲时刻依赖可塑性学习规则。ZnO突触器件实现了超低能耗操作,单次突触行为能耗最低为1.6pJ,表明其可以用来构筑未来的人工神经网络硬件系统,最终开发出与人脑结构类似的认知型计算机以及类人机器人。
【作者单位】: 上海大学材料科学与工程学院;中国科学院宁波材料技术与工程研究所;

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